Обнаружен механизм улучшения памяти
Ученые из Университета Орхуса выявили механизм улучшения памяти. Согласно публикации в журнале eLife, воспоминания могут быть усилены последующими переживаниями, даже если они не прямо связаны с первоначальным опытом.
Долгое время формирование памяти объяснялось моделью Хебба, согласно которой синапсы, усиленные одновременной активацией нейронов, становятся основой долговременной памяти. Однако новое исследование показало, что синаптическая пластичность может распространяться на соседние синапсы, которые не были напрямую активированы. Этот процесс получил название гетеросинаптической пластичности.
В ходе эксперимента нейробиологи использовали мышей, которых подвергали оптогенетической стимуляции нейронов миндалевидного тела и ударам электрического тока. Миндалевидное тело отвечает за чувство страха, однако если стимуляция нейронов светом происходила одновременно с ударом тока, то долговременной ассоциативной связи между ними не обнаруживалось.
Ситуация менялась, если оптогенетическая стимуляция происходила за несколько минут до или после, или даже через 24 часа после воздействия током, тогда ассоциативный опыт преобразовывался в долговременную память.
Гетеросинаптическая пластичность позволяет последующим эмоциональным переживаниям усилить память, даже если они происходят через некоторое время после первоначального события. Это открытие, противоречащее традиционной модели Хебба, открывает новые перспективы для разработки методов обучения и лечения, направленных на улучшение памяти.
Больше новостей на сайтах Медиахолдинга
